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TPS51116RGER

Texas Instruments · 24-VQFN (RGE)

品牌
Texas Instruments
原厂官网库存
有货以原厂官网为准,不是我们的库存。
原厂交期(L/T)
26 周
核对日期
原厂官网最近变更

询价格与交期

类别
DDR 存储器电源 IC
封装
24-VQFN (RGE)
生命周期
量产

关于 TPS51116RGER

TPS51116RGER 是 Texas Instruments 的DDR 存储器电源 IC类器件(封装:24-VQFN (RGE))。 全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO

TPS51116RGER 是 Texas Instruments TPS51116 系列的可订购型号(P/N)。 封装:24-VQFN (RGE)。 类别:DDR 存储器电源 IC。 TPS51116 系列的其他 P/N:6 个。 原厂官网标注的生命周期状态:量产。 发布于 2004年7月27日。 已列出的替代料:TPS51116RGE。

参数

MOQ
1
SPQ
3000
HS 编码
854239
RoHS
是

TPS51116 系列参数

参数为原厂公布值。 各 P/N 的值可能不同,请以数据手册为准。 可左右滑动查看。

参数项数值
Control modeD-CAP / current mode
DDR memory typeDDR / DDR2 / DDR3 / DDR3L / DDR4 / LPDDR2 / LPDDR3
FeaturesComplete Solution / Shutdown Pin for S3
Iout VDDQ (max)25 A
Iout VTT (max)3 A
Iq (typ)800 µA
Operating temperature range−40 to 85 °C
OutputVDDQ / VREF / VTT
Package area16 / 41.6 mm²
Package size (L x W)4 x 4 / 6.5 x 6.4 mm
Package typeHTSSOP / VQFN
Pin count20 / 24
Pitch0.5 / 0.65 mm
Product typeDDR
RatingCatalog
Regulator typeStep-Down Controller Plus LDO
Vin (min)3 V
Vin (max)28 V
Vin bias (min)4.5 V
Vin bias (max)5.5 V

数据手册(原厂) →

到货核对项

丝印、封装、包装和合规项均为原厂公布的数据。

文件与标签

  • RoHS:是
  • REACH(TI 声明):SVHC(高度关注物质)不超过 0.1%,无超出允许范围的附件 XVII 限制物质。 TI 原文释义

包装与湿敏

外观与丝印

封装与尺寸

  • 提醒 湿敏等级 MSL 2:拆封后车间寿命 1 年(≤30 °C / 60% RH),超时需烘烤。

替代料与交叉参考

TPS51116RGER 全部替代料 →

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库存、价格与近期变动

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买家常问

TPS51116RGER 能调到货吗?

原厂官网库存是带日期的快照,不是我们的库存。发来数量和需求日期,ChipRadar 核实货源后回复价格、交期和 D/C。

TPS51116RGER 的交期是多久?

原厂官网标注 TPS51116RGER 的交期为 26 周;当前交期以报价确认为准。

付款前怎么核实 TPS51116RGER 的来源和批次?

报价时可索取卷盘或托盘标签照片和 D/C 范围。核对范围按订单逐单约定。

TPS51116RGER 的 MOQ 和包装?

原厂 MOQ:1 件,SPQ:3,000 件。样品小批量可议。

TPS51116RGER 有替代料吗?

本目录登记的交叉参考型号:TPS51116RGE。替换前请对照数据手册确认引脚兼容。

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